電力用ショットキバリアダイオードと電力用MOSFETの低電力損失化および高耐圧化に関する研究

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dc.contributor.author 九里,伸治 ja
dc.date 2014-03-10 ja
dc.date.accessioned 2014-06-09T03:26:53Z
dc.date.available 2014-06-09T03:26:53Z
dc.date.created 2014-03-10 ja
dc.date.issued 2014-03-10 ja
dc.identifier.uri http://repository.nihon-u.ac.jp/xmlui/handle/11263/93
dc.language ja ja
dc.language.iso ja ja
dc.subject パワーエレクトロニクス ja
dc.subject 電子デバイス・集積回路 ja
dc.subject スーパージャンクション ja
dc.subject ショットキバリアダイオード ja
dc.subject MOSFET ja
dc.subject power electronics ja
dc.subject electron device/integrated circuits ja
dc.subject super junction ja
dc.subject schottky barrier diode ja
dc.subject MOSFET ja
dc.title 電力用ショットキバリアダイオードと電力用MOSFETの低電力損失化および高耐圧化に関する研究 ja
dc.title.alternative Research on power Schottky Barrier Diode and power MOSFET with the aim of lower power dissipation and higher withstand voltage ja
dc.subject.nii Thesis or Dissertation ja
dc.description.degreename 博士(工学) ja
dc.description.grantor 日本大学 ja
dc.date.dateofgranted 2014-03-10 ja
dc.type.nii Thesis or Dissertation ja
dc.identifier.jalcdoi info:doi/10.15006/32665B7058
dc.identifier.grantid 32665乙第7058号 ja
dc.textversion ETD ja


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